▎ 產品介紹

碳化矽(SiC) 半導體為電力電子設計工程師提供了一種創新的選擇，幫助工程師們在工業、汽車、醫療、航空和通訊電力電子產品設計上尋求更高的系統效率、更小的外形尺寸和更高的工作溫度。 APD 新一代的碳化矽MOSFET 和碳化矽JBS二極體設計，在額定導通電阻或電流下，具有更高的非嵌位感性負載開關 (UIS) 能力。我們的碳化矽MOSFET保持約 10-23 焦耳每平方公分 (J/cm2) 的高UIS能力和強大的短路保護。我們的碳化矽JBS二極體設計具有低反向電流下的柔性恢復電壓，平衡突波電流、正向電壓、熱阻和熱電容額定值，可降低開關損耗。此外，我們的碳化矽MOSFET和碳化矽JBS二極體晶片可以配對一起用於功率模組中。我們的碳化矽MOSFET和碳化矽JBS產品將符合AEC-Q100、101、104和AQG324標準。