▍IGBTs，高效率功率控制，低損耗。
IGBT（絕緣閘雙極電晶體）結合了MOSFET的高開關速度和雙極電晶體的低導通損耗，特別適合高功率應用，如電動車驅動系統和變頻器。IGBT的優異特性在高電壓、高電流下依然穩定，顯著提高了系統效率，並減少了散熱需求，助力實現更小、更輕的終端產品設計。
電氣特性
- 高電流密度
- 低VCEsat
- 低開關損耗
- 低Qg和Cres
- 低感應設計
- Tvj op = 150°C
- 短時間延長操作溫度
機械特性
- 4.2kV DC 1秒絕緣
- 高爬離距離和間隙
- 緊湊設計
- 高功率密度
- 直接冷卻基板
- PCB和冷卻器組件的導向元件
- 集成NTC溫度感測器
- 符合RoHS要求
- UL 94 V0 模塊框架
| VCES | ICN | VGE | Package | ||
|---|---|---|---|---|---|
| AIG400N075AHBP | 750 | 400 | ±20 | -40 ~ +175 | HPD-PACK |
| AIG600N075AHBP | 750 | 600 | ±20 | -40 ~ +175 | HPD-PACK |
| AIG820N075AHBP | 750 | 820 | ±20 | -40 ~ +175 | HPD-PACK |
| AIG400N120AHBP | 1200 | 400 | ±20 | -40 ~ +175 | HPD-PACK |
| AIG600N120AHBP | 1200 | 600 | ±20 | -40 ~ +175 | HPD-PACK |
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