碳化矽半導體具備更高頻率、更低損耗、更易冷卻、更耐高溫、更高電壓的性能，為電力電子驅動控制市場最佳的高效節能材料。 APD先進的研發與製造，碳化矽MOSFET和JBS二極體具有傑出特性，包括：高擊穿電壓、低功耗以及傳統矽元件所不具備的高速開關操作。 因應高效節能減碳市場需求日益增長，APD已實現新世代碳化矽半導體功率元件及模組的量產市售。
以下是為了能夠滿足段落所需的長度而定義的無意義內文，請自行參酌編排。
車用電子
APD在車用電子領域的應用展示了我們在半導體技術上的領先地位。我們的碳化矽(SiC)半導體產品，尤其是碳化矽MOSFET和碳化矽JBS二極體，提供了高效能與低損耗的完美結合。這些產品在高溫環境下依然能保持優異的性能，適用於各種汽車電子部件，包括OBC車載充電器、DC-DC直流轉換器、牽引電機逆變器以及快速充電站。
APD的碳化矽技術正在改變車用電子的未來，提供更加高效、安全和可靠的解決方案。
OBC 車載充電器
1、2級充電器內置在車輛上被稱為車載充電器 (OBC) ， 對於車載充電器等的電源設計，在有限的電源系統空間中增加輸出功率。您可以選擇APD的碳化矽 ASD-Diode 、 ASM-MOSFET 產品，它們的開關損耗更低、開關速度更快和工作溫度更高。以實現更高功率密度和高效率的解決方案，滿足具有挑戰性的效率標準。
APD 先進的碳化矽 ASM-MOSFET 及金氧半場效電晶體技術和封裝技術相結合，可提供最低的導通阻抗和更低的功耗， 採用專利的設計工藝技術的 APD 碳化矽 ASM-MOSFET 在大多數應用中，可實現開關元件導通時實現零電壓切換 (Zero Voltage Switching “ZVS”) 、零電流開關 (Zero Current Switching “ZCS”) ，可以降低電源的開關損耗，提高功率變換器的效率和功率密度。
DC-DC直流轉換器
APD先進的碳化矽_ASM-MOSFET及金氧半場效電晶體技術和封裝技術相結合，可提供最低的導通阻抗和更低的功耗， 採用專利的設計工藝技術的APD碳化矽_ASM-MOSFET在大多數應用中，可實現開關元件導通時實現零電壓切換(Zero Voltage Switching“ZVS”)、零電流開關（ Zero Current Switching“ZCS”)，零電流開關，可以降低電源的開關損耗，提高功率變換器的效率和功率密度。
牽引電機逆變器
如果您的設計需要在有限的系統空間內增加輸出功率，您可以選擇APD的SiC系列產品，以實現更高的功率密度和高效率的解決方案。APD先進的SiC二極體、MOSFET技術和模組封裝技術相結合，提供最低的導通電阻和更低的功耗，以滿足具有挑戰性的效率標準。在大多數應用中，使用專利設計工藝技術的APD-SiC二極體、MOSFET可以在沒有外部緩衝器的情況下實現極低的開關損耗，大大降低了產品設備的尺寸和重量。
Super Charger Station 快速充電站
3級充電器用於公共充電站被稱為快速充電站 (SCS) ，對於快速充電站的電源設計，在有限的電源系統空間中增加輸出功率，您可以選擇APD的碳化矽 ASD-Diode 、 ASM-MOSFET 產品，因為它們的開關速度更快（最高可達100 kHz），並且具有更低的通阻，有助於提高效率。以實現三電平運行，同等輸出電壓情況下，能有效地降低開關管的電壓應力，可以有效縮減濾波電感體積，更高功率密度和高效率的解決方案，滿足具有挑戰性的效率標準。
相關產品
SiC Schottky Diodes
碳化矽蕭特基二極體，顯著降低開關損耗。
SiC MOSFETs
碳化矽 MOSFET，高速開關，低導通電阻。
IGBTs
IGBT，高效率功率控制，低損耗。
SiC Power Modules
全碳化矽功率模組，開關損耗降低75%（最大）。
更多產品應用細節，請參考技術支援。